電力制御用半導体素子の保護装置及びそれを備えた電力変換装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：春日讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003169715
Publication number (International publication number)：2005006464
Application date： Jun. 13, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】回路負荷等の短絡を早期かつ確実に検出してバイポーラMOS複合型半導体素子等の半導体素子が破壊されることを防止可能な電力制御用半導体素子の保護装置を実現する。【解決手段】IGBT1のコレクタはダイオードD1を介して第1比較器COMP1の反転入力端子に接続される。COMP1の非反転入力端子には第1基準電圧V1が印加され。IGBT1のゲート端子は第2比較器COMP2の反転入力端子に接続され、COMP2の非反転入力端子には第2基準電圧V2が印加される。COMP1とCOMP2の出力信号が論理回路ANDに入力され2つの入力信号の論理積が”1”のとき論理回路ANDから短絡検出信号が出力される。基準電圧V1はコレクタ電圧のオン状態電圧より高く、回路電源電圧より低い電圧に設定され、第2の基準電圧V2は回路の電源電圧より低く、かつ、IGBT1のテラス電圧以上に設定される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

コレクタと、ゲートと、エミッタとを有する電力制御用半導体素子の保護装置において、上記電力制御用半導体素子のコレクタ電圧を検出し、検出したコレクタ電圧が、第1の基準電圧を越えたとき、第1の検出信号を出力する第1の比較器と、上記電力制御用半導体素子のゲート電圧を検出し、検出したゲート電圧が、上記電力制御用半導体素子に定格電流を流すための最小ゲート電圧以上であり、上記電力制御用半導体素子を駆動する駆動信号を出力する駆動回路の電源電圧未満である第2の基準電圧を超えたとき、第2の検出信号を出力する第2の比較器と、第1の検出信号及び第2の検出信号が共に出力されているときには、保護開始信号を出力する論理手段と、上記論理手段からの保護開始信号に従って、上記ゲート電圧を低下させるゲート電圧低下手段と、を備えることを特徴とする電力制御用半導体素子の保護装置。

IPC (5)：

H02H7/20 , H02H7/122 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M7/48

FI (6)：

H02H7/20 D , H02H7/122 Z , H02M1/00 E , H02M1/00 H , H02M1/08 A , H02M7/48 M

F-Term (43)：

5G053AA01 , 5G053AA02 , 5G053BA04 , 5G053CA01 , 5G053EB01 , 5G053EC03 , 5H007AA06 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB02 , 5H007CB05 , 5H007CC07 , 5H007DB03 , 5H007DC05 , 5H007FA01 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H007FA14 , 5H115PA08 , 5H115PC06 , 5H115PG04 , 5H115PI16 , 5H115PI21 , 5H115PI29 , 5H115PO06 , 5H115PU08 , 5H115PU25 , 5H115PV09 , 5H115PV23 , 5H115TO13 , 5H115TR01 , 5H115TU02 , 5H115TU05 , 5H115TW10 , 5H115TZ04 , 5H740AA04 , 5H740BA11 , 5H740BB05 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740HH07 , 5H740MM01 , 5H740MM12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

短絡保護回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109913 Applicant：株式会社東芝
負荷駆動装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-287397 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平2-262826

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