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J-GLOBAL ID:200903053767685264

多層配線基板の製造方法及び配線基板形成用金属板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 尾川 秀昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001383887
Publication number (International publication number):2002359471
Application date: Dec. 18, 2001
Publication date: Dec. 13, 2002
Summary:
【要約】【課題】 微細なバンプを有する高集積度の多層の配線基板を得る。【解決手段】バンプ形成用金属層2/エッチングストップ層3/配線膜形成用金属層4からなる多層金属板1の配線膜形成用金属層4で配線膜4aを形成し、バンプ形成用金属層2でバンプ2aを形成したものを複数用意し、一つの多層金属板1aのバンプ形成面に絶縁層5を接着し、そのバンプ2aに別の多層金属板1bの配線膜4aを接続することにより多層金属板1a・1bの積層をし、その後、更に別の多層金属板1bのバンプ形成面に絶縁層5を接着し、その後、該別の多層金属板1bのバンプ2aに更に別の多層金属板1cの配線膜4aを接続することにより多層金属板1cを積層するという積層工程を少なくとも有する。
Claim (excerpt):
バンプ形成用金属層にエッチングストップ層を介して配線膜形成用金属層又は配線膜を形成した多層金属板を複数枚用意し、まず第一の多層金属板のバンプ形成用金属層をパターニングしてバンプを形成し、上記バンプの形成面に絶縁層を、バンプの頂部のみが該絶縁層から露出するように形成し、その後、この多層金属板のバンプに該多層金属板とは該第2の多層金属板の配線層を形成した面を対向させることにより多層金属板を積層し、その後、更に第二の多層金属板の上記バンプの形成面に絶縁層を、バンプの頂部のみが絶縁層から露出するように形成し、その後、該第2の多層金属板のバンプに第三の多層金属板の配線膜を接続することにより多層金属板を積層するという積層工程を少なくとも有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (4):
H05K 3/46 ,  H05K 1/09 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40
FI (6):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 S ,  H05K 1/09 C ,  H05K 1/11 N ,  H05K 3/40 Z
F-Term (39):
4E351AA01 ,  4E351BB01 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB26 ,  4E351BB29 ,  4E351BB36 ,  4E351BB49 ,  4E351DD04 ,  4E351DD19 ,  4E351GG01 ,  4E351GG11 ,  5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB12 ,  5E317BB15 ,  5E317CC60 ,  5E317CD23 ,  5E317CD25 ,  5E317GG14 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346DD02 ,  5E346DD32 ,  5E346EE31 ,  5E346FF35 ,  5E346FF36 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH22 ,  5E346HH26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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