半導体装置及びその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993207000
Publication number (International publication number)：1994342766
Application date： Jul. 30, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】メタルプラグの形成時、絶縁層と密着層との間に密着性が低下することのない構造を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。【構成】半導体装置は、基体10に形成された下層導体層12と、下層導体層を被覆する絶縁層14と、絶縁層上に形成すべき上層導体層と下層導体層12とを電気的に接続するための絶縁層内に形成された接続孔22を有する。そして、接続孔22は、接続孔の少なくとも底面に形成されたTiN又はTiONから成る単層の密着層18と、接続孔内部に堆積されたタングステンプラグ20Aとから成る。

Claim (excerpt)：

基体に形成された下層導体層と、該下層導体層を被覆する絶縁層と、絶縁層上に形成すべき上層導体層と該下層導体層とを電気的に接続するための絶縁層内に形成された接続孔を有する半導体装置であって、該接続孔は、該接続孔の少なくとも底面に形成されたTiN又はTiONから成る単層の密着層と、接続孔内部に堆積されたタングステンプラグとから成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-165714 Applicant：富士通株式会社
特開平4-264721
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-001480 Applicant：日本電気株式会社

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