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J-GLOBAL ID：200903053808413860

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 杉山 仁 ,  大橋 健一 ,  山下 敦子 ,  鷲塚 章一 ,  赤池 康彦 ,  吉武 春二 ,  江頭 克 ,  浅川 鋼児 ,  藤本 明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002010571
Publication number (International publication number)：2003218383
Application date： Jan. 18, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 光取り出し面における光の全反射の影響で光取り出し効率が低下するのを防止することができ、光取り出し効率の向上をはかる。【解決手段】 化合物半導体基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層し、基板と反対側の面から光を取り出す半導体発光素子の製造方法において、半導体多層膜の最上層である電流拡散層15上に、ポリスチレン(PS)とポリメタクリル酸メチル(PMMA)で構成されたブロックコポリマーを溶解した溶液を塗布してマスク材料層31を形成した後、マスク材料層31に対してアニール処理を施すことによりブロックコポリマーを相分離し、次いでCF4 を用いたRIEによりエッチングすることによりPSのパターン32を形成し、しかる後PSのパターン32をマスクにして光取り出し面の電流拡散層15をエッチングすることにより、該光取り出し面に微小凹凸を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層してなる半導体発光素子において、前記発光層からの光を外部に取り出すための光取り出し面に大きさの異なる微小凹凸が形成され、該凹凸における凸部は錐体形状であり、該凸部のほぼ全体は、高さhが100nm以上、底辺の長さdが10〜500nmの分布となっていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/302 N

F-Term (19)：

5F004AA16 ,  5F004DA01 ,  5F004DA11 ,  5F004DA25 ,  5F004DB19 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-064003   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278057   Applicant：東北大学長