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J-GLOBAL ID：200903099358444611

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

Inventor：
羽根 一博

About 羽根 一博

, 
金森 義明

About 金森 義明


Applicant, Patent owner：
東北大学長

About 東北大学長


Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001278057
Publication number (International publication number)：2003086835
Application date： Sep. 13, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体発光素子を構成する複数の半導体層からなる多層積層構造で生成された光に対する透過率を向上させ、光の高い取り出し効率を得る。【解決手段】 基板11、第1の半導体層12、及び第2の半導体層13から構成される多層積層構造18の発光面16上に、発光面16より出力される光の波長よりも短い周期で配置された、複数の凸部からなる反射防止フィルタ17を形成する。
Claim (excerpt)：
複数の半導体層からなる多層積層構造を含む半導体発光素子であって、前記多層積層構造の発光面上に、前記多層積層構造より発せられる光の波長よりも短い周期で、格子状に配置された複数の凸部よりなる反射防止フィルタを具えることを特徴とする、半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/302 J
F-Term (9)：
5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DB21 ,  5F004EA22 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA36 ,  5F041CA74
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-064003   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
  • 特開平4-264781
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-332946   Applicant：サンケン電気株式会社
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