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J-GLOBAL ID：200903053819648826

磁気抵抗効果型トランスデューサ及び磁気記録装置

Inventor： 金井 均
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995164023
Publication number (International publication number)：1997016915
Application date： Jun. 29, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】スピンバルブ磁気抵抗効果を利用して、磁界の変化を抵抗の変化に変換する磁気抵抗効果型トランスデューサに関し、反強磁性層の下地層として耐腐食性の高い材料を用い、かつ反強磁性層の結晶性を改善することを目的とする。【構成】基板11上に、タンタル膜12aとニッケル鉄系合金膜12bの2層膜からなる下地層12と、反強磁性層13と、第1の軟磁性層14と、非磁性金属層15と、第2の軟磁性層16とが順に形成されてなる。

Claim (excerpt)：

基板上に、タンタル膜とニッケル鉄系合金膜の2層膜からなる下地層と、反強磁性層と、第1の軟磁性層と、非磁性金属層と、第2の軟磁性層とが順に形成されてなることを特徴とする磁気抵抗効果型トランスデューサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-026362   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-296063   Applicant：株式会社東芝