Pat

J-GLOBAL ID：200903053824627217

対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル

Inventor： トーマス・シー・アンソニー ,  マノイ・ケイ・バタチャーヤ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001019744
Publication number (International publication number)：2001267523
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】 対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセルを提供する。【解決手段】 本発明の磁気メモリセルは、センス層(52)と、センス層(52)にバリア層を介して結合されているリファレンス層(50)と、付加的なリファレンス層(54)と、この付加的なリファレンス層(54)が、付加的なリファレンス層(54)からの反磁界と結合磁界とのセットが、リファレンス層(50)からの反磁界と結合磁界とのセットと釣り合うように、センス層(52)にスペーサ層(60)を介して結合されていることと、からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

センス層(52)と、前記センス層(52)にバリア層を介して結合されているリファレンス層(50)と、付加的なリファレンス層(54)と、この付加的なリファレンス層(54)が、当該付加的なリファレンス層(54)からの反磁界と結合磁界とのセットが、前記リファレンス層(50)からの反磁界と結合磁界とのセットと釣り合うように、前記センス層(52)にスペーサ層(60)を介して結合されていることと、からなる磁気メモリセル。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08

FI (5)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 低切替磁界磁性トンネル接合
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-560586   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 二重磁気状態を有する磁気エレメントおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-383163   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁化制御方法、磁気機能素子、情報記録方法、情報記録素子及び可変抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-130711   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (1)

• 低切替磁界磁性トンネル接合
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-560586   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド