対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：古谷馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001019744
Publication number (International publication number)：2001267523
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセルを提供する。【解決手段】本発明の磁気メモリセルは、センス層(52)と、センス層(52)にバリア層を介して結合されているリファレンス層(50)と、付加的なリファレンス層(54)と、この付加的なリファレンス層(54)が、付加的なリファレンス層(54)からの反磁界と結合磁界とのセットが、リファレンス層(50)からの反磁界と結合磁界とのセットと釣り合うように、センス層(52)にスペーサ層(60)を介して結合されていることと、からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

センス層(52)と、前記センス層(52)にバリア層を介して結合されているリファレンス層(50)と、付加的なリファレンス層(54)と、この付加的なリファレンス層(54)が、当該付加的なリファレンス層(54)からの反磁界と結合磁界とのセットが、前記リファレンス層(50)からの反磁界と結合磁界とのセットと釣り合うように、前記センス層(52)にスペーサ層(60)を介して結合されていることと、からなる磁気メモリセル。

IPC (5)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/26 , H01L 43/08

FI (5)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/26 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

低切替磁界磁性トンネル接合
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-560586 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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