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J-GLOBAL ID：200903053833390726

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 山手 正浩 ,  高橋 正志
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231531
Publication number (International publication number)：1995086433
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、キャパシタ部を有する半導体装置における、そのキャパシタ部のストレージ電極の形状と製法に関するもので、高集積化、縮小に伴いキャパシタ部の範囲が狭くなっても実効的な表面積を増し、十分なセル容量を確保できるようにすることを目的とする。【構成】 本発明は、T字型のストレージ電極6のひさし部分に孔6aを形成し、その孔6aの内壁にもキャパシタ絶縁膜7、セルプレート電極8を形成するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

キャパシタ部を有する半導体装置において、該キャパシタ部のストレージ電極の構造として複数の孔が設けられている部分がある形状としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-133172
  
• 特開平4-294579
  
• DRAMセルのキャパシタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240406   Applicant：ゴールドスターエレクトロンカンパニーリミテッド