Pat

J-GLOBAL ID：200903053861004025

微細パターンの形成方法

Inventor： 松尾 二郎 ,  桜井 力
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991052600
Publication number (International publication number)：1993226300
Application date： Mar. 18, 1991
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 量子力学でのトンネル電流を利用した微細パターンの形成方法に関し、従来よりも容易にかつ制御性良く微細パターンを形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1の上に金属薄膜2を形成し、金属探針3を該金属薄膜2に近づけかつ該金属探針4に電圧を印加してトンネル電流を発生させ、半導体基板1を構成する元素を金属薄膜中を拡散させ該金属薄膜2上で酸化ないし窒化させて絶縁物とし、この絶縁物で所定パターン5を形成するように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)の上に金属薄膜(2)を形成し、金属探針(4)を該金属薄膜(2)に近づけかつ該金属探針(4)に電圧を印加してトンネル電流を発生させ、前記半導体基板(1)を構成する元素を前記金属薄膜(2)中を拡散させ該金属薄膜(2)上で酸化ないし窒化させて絶縁物とし、この絶縁物で所定パターン(5)を形成することを特徴とする微細パターンの形成方法。