化合物半導体の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995282223
Publication number (International publication number)：1997129559
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】ダイシングの際に、チップの切断面に発生するクラック、チッピングを減少させる。【解決手段】サファイア基板を20μm〜60μmの厚さに形成し(図1)、このサファイア基板へのCVD法による素子形成過程を、40〜60°C/min の昇温スピードによってサファイア基板を所定温度まで加熱する導入過程(図2(b)のa)を経て開始し、素子形成過程を、20〜30°C/min の降温スピードによって前記サファイア基板を冷却する退出過程(図2(b)のg)を経て終了する。高温プロセスにおける基板の割れの防止とクラック防止との両立を図る。

Claim (excerpt)：

CVD法によってサファイア基板に結晶成長を行って化合物半導体素子を形成する化合物半導体の製造方法であって、前記サファイア基板を20μm〜60μmの厚さに形成し、このサファイア基板へのCVD法による素子形成過程を、前記基板の厚さに応じて、40〜60°C/min 以下の昇温スピードによって前記サファイア基板を所定温度まで加熱する導入過程を経て開始し、前記素子形成過程を、前記基板の厚さに応じて、20〜30°C/min 以下の降温スピードによって前記サファイア基板を冷却する退出過程を経て終了する、ことを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C30B 25/10 , C30B 29/38 , H01L 27/12 , H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/205 , C30B 25/10 , C30B 29/38 D , H01L 27/12 S , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-300940 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平4-124816
半導体発光素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219179 Applicant：日本電信電話株式会社

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