窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993300940
Publication number (International publication number)：1995131069
Application date： Nov. 06, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状に切断するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形状、サイズに切断する方法を提供する。【構成】サファイア基板1上に窒化物半導体を積層したウエハーの窒化物半導体面に所望のチップ形状で第一の割り溝11を線状に形成し、第一の割り溝11の線と合致する位置で、ウエハーのサファイア基板1面に新たに第二の割り溝22を線状に形成して、前記第一の割り溝11の線幅(W1)よりも、第二の割り溝22の線幅(W2)を狭く調整した後、第一の割り溝11と、第二の割り溝22に沿ってウエハーをチップ状に分離する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体面に所望のチップ形状で第一の割り溝を線状に形成する工程と、前記第一の割り溝の線と合致する位置で、前記ウエハーのサファイア基板面に新たに第二の割り溝を線状に形成すると共に、前記第一の割り溝の線幅(W1)よりも、第二の割り溝の線幅(W2)を狭く調整する工程と、前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿って前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/301 , H01L 21/86

FI (2)：

H01L 21/78 L , H01L 21/86

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-352259 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭62-105446
特開昭53-115191

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