半導体メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997042479
Publication number (International publication number)：1997293387
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】メモリセルの浮遊ゲート電位を精密に制御しつつ高速な書き込みを行う。【解決手段】ソース電圧制御回路132と共通ソース線SLとの間にセル電流検出回路2が接続されている。セル電流検出回路2は、メモリセル101のセル電流値Idを検出し、そのセル電流値Idに基づいて検出信号Wを生成する。そして、書き込み動作において、各電圧制御回路132〜134の動作は、セル電流検出回路2の検出信号Wに従って制御される。すなわち、各電圧制御回路132〜134は、検出信号WがLレベルの場合は各部(共通ソース線SL、ビット線BLm、ワード線WLm)の電位を従来の形態と同様に制御し、検出信号WがHレベルの場合は各部の電位をグランドレベルにする。

Claim (excerpt)：

メモリセルに流れる電流に基づいて、メモリセルが所望の書き込み状態に到達したことを判定し、書き込み動作を制御する半導体メモリ。

IPC (5)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

G11C 17/00 510 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭63-153799
不揮発性メモリをプログラムする方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-065189 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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