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J-GLOBAL ID：200903054041571355

トンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー

Inventor： グレゴリー・エス・リー ,  エルジ・マオ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 萩野 平 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996350925
Publication number (International publication number)：1997198622
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 既知磁気抵抗センサーのそれよりはるかに大きい△R/Rをもつトンネル作用のフェリ磁性磁気抵抗センサーを提供する。【解決手段】薄膜層の積層から成るトンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー10において、該薄膜層が、伝導性があり且つ飽和保磁力を有するフェリ磁性材料の層12と、伝導性があり且つフェリ磁性材料の保磁力とは実質的に異なる保磁力を有する磁気材料の層14と、フェリ磁性材料の層と磁気材料の層との間で電流キャリヤーのトンネル作用が可能となるほど厚さが十分薄い層であって、フェリ磁性材料の層と磁気材料の層との間に挿入された絶縁体の層16とを含んで成るセンサー。

Claim (excerpt)：

薄膜層の積層から成るトンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサーにおいて、該薄膜層が、伝導性があり且つ飽和保磁力を有するフェリ磁性材料の層と;伝導性があり且つフェリ磁性材料の保磁力とは実質的に異なる保磁力を有する磁気材料の層と;フェリ磁性材料の層と磁気材料の層との間で電流キャリヤーのトンネル作用が可能となるほど厚さが十分薄い層であって、フェリ磁性材料の層と磁気材料の層との間に挿入された絶縁体の層とを含んで成るセンサー。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-058877   Applicant：権藤靖夫, 末澤慶孝, 高橋史明