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J-GLOBAL ID：200903054048537462
固体メモリ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004261601
Publication number (International publication number)：2006080241
Application date： Sep. 08, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：
【課題】 簡易な構成にて、消費電力を顕著に抑制しながら、さらなる高密度化、高アクセス性および記録の長期安定性を達成し得る、固体メモリ装置を提供する。【解決手段】 磁化固定層101、109は、高スピン偏極層102、104、106、108の磁化方向を固定するための永久磁石あるいは反強磁性を示す層である。高スピン偏極層102、104、106、108は、スピン偏極度の高い磁性層からなっている。絶縁層103、107は、トンネル磁気抵抗効果を発現させることにより読み出しに寄与する。また、書き込み電流が流れることによりジュール熱を発し、書き込み層105を加熱する。書き込み層105は、高スピン偏極層102、104、106、108からのスピン注入によって磁化方向が反転する磁化反転層であって、キュリー温度が低く(150〜300°C)、加熱されることによって、少ないスピン注入量で磁化反転が可能となっている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
複数のメモリセルと、各メモリセルに選択的に電流を導通させる制御回路とを有する固体メモリ装置であって、
前記メモリセルは、
磁化方向が互いに相違する2つの磁化固定層と、
前記磁化固定層の間に配された書き込み層と、
書き込み層と前記磁化固定層の間に配された絶縁層と、
を有し、
データ記録時に、前記各層の配列方向に導通する書き込み用の電流が前記絶縁層を流れることにより発生するジュール熱によって前記書き込み層の温度を上昇させながら、前記2つの磁化固定層からのスピン偏極された前記書き込み用の電流によって前記書き込み層の磁化方向を当該磁化固定層のうちの一方の磁化方向に偏極させる、
ことを特徴とする固体メモリ装置。
IPC (4)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, G11C 11/15
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 112
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083GA21
, 5F083PR22
