パターン露光方法及びその装置及びこれに用いるマスク並びにこれらを用いて作られた半導体集積回路

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994254993
Publication number (International publication number)：1995176476
Application date： Oct. 20, 1994
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】位相シフト法と同等以上の解像度を、設計不可能となるようなパターンを発生させずに実現することを目的とする。【構成】露光照明光源とマスクもしくはレティクルと光源より出射した光をマスクに照射せしめる照明光学系と、マスクの透過光もしくは反射光を被露光物体上に投影する投影光学系とよりなるパターン露光装置において、マスクが無い場合には照明光の投影光学系の瞳上での偏光状態が瞳中心に対し概ね回転対称とならしめる偏光手段を具備する構成とした。【効果】従来用いていた露光装置の投影光学系をそのまま用いて従来の解像パターンに比べてはるかに解像度の優れたパターンが露光可能になる。

Claim (excerpt)：

露光用照明光源からの光を所望の原画パターンが描画されたマスクもしくはレティクルに所望の指向性を有して照射し、当該マスクの透過光もしくは反射光を投影光学系を通して被露光物体上に投影し、上記原画パターンからの像を露光するパターン露光方法において、上記マスク上のパターンの向く方向に応じた偏光特性を当該パターンを透過した該照明光に付与せしめるパターン依存偏光マスクを用いることを特徴とするパターン露光方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (4)：

H01L 21/30 528 , H01L 21/30 504 , H01L 21/30 515 B , H01L 21/30 515 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

フォトマスク及び露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-073121 Applicant：株式会社ニコン
特開平4-268715
露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-291465 Applicant：株式会社ニコン

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Cited by examiner (4)

フォトマスク及び露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-073121 Applicant：株式会社ニコン
特開平4-268715
特開平4-268715

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