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J-GLOBAL ID:200903054099978870
高分子電解質およびプロトン伝導膜
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (4):
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 高畑 ちより
, 鈴木 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004048149
Publication number (International publication number):2005243289
Application date: Feb. 24, 2004
Publication date: Sep. 08, 2005
Summary:
【課題】耐熱水性、ラジカル耐性(耐久性)が改良された、スルホン酸基を有する重合体からなる固体高分子電解質および該電解質からなるプロトン伝導膜を提供する。 【解決手段】例えば、下記化学式(12)で表されるスルホン化ポリマー。【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で表わされる構成単位と、下記一般式(2)で表わされる構成単位とを有する重合体からなることを特徴とする高分子電解質。
IPC (4):
H01B1/06
, C08G61/00
, C08J5/22
, C25B13/02
FI (4):
H01B1/06 A
, C08G61/00
, C08J5/22 101
, C25B13/02 301
F-Term (20):
4F071AA69
, 4F071FA05
, 4F071FB01
, 4F071FC01
, 4F071FD04
, 4J032CA03
, 4J032CA52
, 4J032CB08
, 4J032CD02
, 4J032CD07
, 4J032CE05
, 4J032CF03
, 4J032CG01
, 5G301CA30
, 5G301CD01
, 5H026AA06
, 5H026CX05
, 5H026EE18
, 5H026HH00
, 5H026HH05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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高分子電解質膜およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-142226
Applicant:ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
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