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J-GLOBAL ID：200903054118828478

硬質炭素膜の成膜方法

Inventor： 川島 敦道 ,  天野 俊二 ,  本庄 禎治 ,  林 弘志 ,  宮井 清一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996350707
Publication number (International publication number)：1998194888
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】 成膜速度が大きく、かつ、十分な硬度や耐久性を有する硬質炭素膜を形成する、硬質炭素膜の成膜方法。【解決手段】 無置換の若しくは置換された炭化水素基を有する熱力学的に不安定な化合物を分解し、この分解生成物の結合によって硬質炭素膜を形成する、硬質炭素膜の成膜方法。

Claim (excerpt)：

無置換の若しくは置換された炭化水素基を有する熱力学的に不安定な化合物を分解し、この分解生成物の結合によって硬質炭素膜を形成する、硬質炭素膜の成膜方法。

IPC (6)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/84 ,  G11B 5/72

FI (6)：

C30B 29/04 B ,  C01B 31/06 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/84 B ,  G11B 5/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-103367
  
• 特開昭61-127896
  
• 特開平1-261299
  
• 特開平2-116609
  
• 炭素材料作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-348219   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所