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J-GLOBAL ID：200903076810019923

炭素材料作製方法

Inventor： 井上 亨 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991348219
Publication number (International publication number)：1993155690
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コストの高いプロセスを使用せずにダイヤモンドを含む炭素材料を容易に安価に形成する装置を提案する。【構成】 反応用出発原料として、常温で気体あるいは液体の状態で存在し、1.1-脱離反応によりCX2 ラジカル(Xはハロゲン元素)あるいはCH2 ラジカルで代表されるカルベンを生成するようなハロゲン化炭化水素を原料の一つとし、水素あるいは水素と希釈ガスとして希ガスからなる原料を第二の原料として使用することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドを含む炭素材料またはダイヤモンド材料の作製方法であって、反応用出発原料として、常温で気体あるいは液体の状態で存在し、1.1-脱離反応によりCX2 ラジカル(Xはハロゲン元素)あるいはCH2 ラジカルで代表されるカルベンを生成するようなハロゲン化炭化水素を原料の一つとし、水素あるいは水素と希釈ガスとして希ガスからなる原料を第二の原料として使用することを特徴とする炭素材料作製方法。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/24 ,  C30B 25/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-305096
  
• ダイヤモンド結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-331591   Applicant：キヤノン株式会社