強誘電性メモリ素子及びその駆動方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小野由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996142784
Publication number (International publication number)：1997008160
Application date： Jun. 05, 1996
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】情報再生時のみならず、記録時にも強誘電体膜に分極反転が起こらないように構造が改善された強誘電性メモリ素子を提供する。【解決手段】ウェル10aを中心にして両側にソース30及びドレイン20が形成される基板10と、ウェル10aの上部に設けられるゲート絶縁層40と、ゲート絶縁層40の上部に設けられるゲート電極50と、ゲート電極50の上部に設けられ、その分極状態によってゲート電極50に対応電荷を誘導する強誘電体膜60と、強誘電体膜60の上部に設けられる上部電極70と、ゲート電極50に電気的に接続されてゲート絶縁層40に誘導された電荷を排出するためのライン80とを具備している。

Claim (excerpt)：

ウェルを中心にして両側にソース及びドレインが形成された基板と、前記ウェルの上部に設けられるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上部に設けられるゲート電極と、前記ゲート電極の上部に設けられ、その分極状態により前記ゲート電極に対応電荷を誘導する強誘電体膜と、前記強誘電体膜の上部に設けられる上部電極と、前記ゲート電極と電気的に接続されて前記ゲート絶縁層に誘起された電荷を排出するための電荷排出手段と、を具備する強誘電性メモリ素子。

IPC (7)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 29/78 371 , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

強誘電体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-108000 Applicant：シャープ株式会社
不揮発性メモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335928 Applicant：ティーディーケイ株式会社

Cited by examiner (2)

強誘電体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-108000 Applicant：シャープ株式会社
不揮発性メモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335928 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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