アクティブマトリクス回路の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003285552
Publication number (International publication number)：2004006974
Application date： Aug. 04, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【目的】消費電力が低く、高速で動作するアクティブマトリクス回路の作製方法を提供する。【構成】アモルファスシリコン膜を用いて島状領域を形成し、前記島状領域に第1のアニールを行い、結晶化されたシリコンを有する活性層を形成し、前記活性層上にゲイト絶縁膜とゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極をマスクとして、前記活性層にイオンドーピング法により導電型不純物を導入し、前記導入された不純物を第2のアニールにより活性化し、前記活性層、前記ゲイト絶縁膜及び前記ゲイト電極上に窒化珪素膜、または窒化珪素膜と酸化珪素膜の多層膜を有する第1の層間絶縁膜を形成し、前記第1の層間絶縁膜上に、前記第1の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記活性層に接する、チタン及びアルミニウムの多層膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス回路の作製方法。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板上に下地膜を形成し、前記下地膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜を用いて島状領域を形成し、前記島状領域に第1のアニールを行い、結晶化されたシリコンを有する活性層を形成し、前記活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極をマスクとして、前記活性層にイオンドーピング法により導電型不純物を導入して、不純物領域及びチャネル形成領域を形成し、前記導入された不純物を第2のアニールにより活性化し、前記活性層、前記ゲイト絶縁膜及び前記ゲイト電極上に窒化珪素膜を有する第1の層間絶縁膜を形成し、前記第1の層間絶縁膜上に、前記第1の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記活性層に接する、チタン及びアルミニウムの多層膜を形成し、前記第1の層間絶縁膜及び前記多層膜上に、酸化珪素膜を有する第2の層間絶縁膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス回路の作製方法。

IPC (4)：

H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/786

FI (3)：

H01L29/78 627G , G02F1/1368 , H01L21/20

F-Term (57)：

2H092GA29 , 2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA08 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA26 , 2H092NA29 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA24 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052FA22 , 5F052JA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA09 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG23 , 5F110GG24 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP40 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法及び薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-208024 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平2-224255
特開平2-150017

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