Pat
J-GLOBAL ID:200903054162998313

有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002352488
Publication number (International publication number):2003264085
Application date: Dec. 04, 2002
Publication date: Sep. 19, 2003
Summary:
【要約】【課題】 従来の有機半導体素子の構成に新規な概念を導入することで、従来の超薄膜を用いることなく、より信頼性が高い上に歩留まりも高い有機半導体素子を提供することを課題とする。また、特に有機半導体を用いたフォトエレクトロニクスデバイスにおいては、その効率も向上させることを課題とする。【解決手段】 SCLCを流すことにより様々な機能を発現する有機薄膜層(機能性有機薄膜層)と、アクセプタまたはドナーをドープするなどの手法で暗導電性を発現させた導電体薄膜層(オーミック導電体薄膜層)を交互に積層した有機構造体を、陽極と陰極との間に設ける。
Claim (excerpt):
二つの電極の間に、1番目からn番目(nは2以上の整数)までのn個の機能性有機薄膜層を順次積層してなる有機構造体が設けられた有機半導体素子において、k番目(kは、1≦k≦(n-1)なる整数)の機能性有機薄膜層とk+1番目の機能性有機薄膜層との間には全て、フローティング状の導電体薄膜層が設けられており、前記導電体薄膜層は、前記機能性有機薄膜層に対してオーム接触していることを特徴とする有機半導体素子。
IPC (6):
H05B 33/14 ,  H01L 31/04 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26
FI (7):
H05B 33/14 A ,  H05B 33/12 C ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 D ,  H05B 33/26 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 31/04 D
F-Term (14):
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB11 ,  3K007DA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F051AA11 ,  5F051BA17 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051DA03 ,  5F051DA17 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page