基板の熱処理方法及び装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：間宮武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302060
Publication number (International publication number)：1997120939
Application date： Oct. 25, 1995
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】ホットプレートの周囲から排気しながら基板を熱処理する際に、基板表面へのパージ用不活性ガスの供給に起因した処理むらが生じるのを防止する。【解決手段】ホットプレート10上の基板Wの表面へ流下するパージ用不活性ガスの流速を小さくし、基板の周辺へ流下する不活性ガスの流速及び流量を大きくする。

Claim (excerpt)：

基板をホットプレート上に直接もしくは間隔を設けて載置し、ホットプレートの周囲から下方へ排気するとともに、ホットプレートの上方から下向きに不活性ガスを供給しながら、ホットプレートによって基板を加熱する基板の熱処理方法において、前記ホットプレートの上方から下向きに供給される不活性ガスの流速を位置によって変化させ、ホットプレート上の基板の表面へ流下する不活性ガスの流速を小さくし、かつ、基板の周辺へ流下する不活性ガスの流速を大きくするとともに、基板の周辺部へ流下する不活性ガスの流量を大きくすることを特徴とする基板の熱処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 , H01L 21/027 , H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/02 Z , H01L 21/31 A , H01L 21/30 566 , H01L 21/30 567

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-080537
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-115058 Applicant：富士通株式会社

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