半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮井暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001323358
Publication number (International publication number)：2003133420
Application date： Oct. 22, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】固体電解質二次電池の充電および放電を担うイオンの半導体基板への拡散を防ぐ信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板aがN型の不純物をドープした拡散層gを有する。固体電解質二次電池の負極に対する拡散層gの電位差は、固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じか、またはそれ以上の電位差で固定されている。半導体基板aと固体電解質二次電池の接する部分にバリア層hを有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、前記固体電解質二次電池直下の半導体基板が、N型の不純物をドープした基板であること、またはN型の不純物をドープした拡散層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01M 4/70 , H01M 10/40

FI (3)：

H01M 4/70 Z , H01M 10/40 B , H01L 27/04 A

F-Term (30)：

5F038BB10 , 5F038EZ20 , 5H017AA04 , 5H017AS01 , 5H017AS10 , 5H017BB01 , 5H017BB08 , 5H017BB16 , 5H017CC01 , 5H017DD03 , 5H017EE01 , 5H017HH04 , 5H029AJ12 , 5H029AK02 , 5H029AK03 , 5H029AK05 , 5H029AL03 , 5H029AL11 , 5H029AL12 , 5H029AM11 , 5H029BJ04 , 5H029BJ12 , 5H029CJ02 , 5H029CJ15 , 5H029CJ22 , 5H029CJ24 , 5H029DJ07 , 5H029DJ17 , 5H029EJ01 , 5H029HJ07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体基板搭載型二次電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-102625 Applicant：日本電気株式会社

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