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J-GLOBAL ID：200903054226581519

固体撮像装置の製造方法

Inventor： 佐野 義和 ,  小倉 敏明 ,  松田 祐二 ,  友田 尚紀 ,  市川 美千代
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998330477
Publication number (International publication number)：2000156486
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 固体撮像装置のオンチップマイクロレンズの耐熱性には限界があるため、反射防止膜は低温で形成される。この反射防止膜の付着力を改善し、クラックの発生を防止する。【解決手段】 各受光部に対応するようにマイクロレンズが形成されたシリコンウェハ14に、蒸着源15から蒸着材料を蒸発させて生じた蒸気流20に電子銃16から電子ビーム21を照射することにより、反射防止膜を形成する蒸気化された材料を活性化する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に受光部を形成し、前記受光部の上方に前記受光部に対応するようにマイクロレンズを形成し、蒸着工程により前記マイクロレンズ上に反射防止膜を形成する固体撮像装置の製造方法であって、前記蒸着工程において、前記反射防止膜を形成する蒸気化した材料に電子ビームを照射することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/314 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H01L 27/14 D ,  H01L 21/314 A ,  H04N 5/335 V ,  H01L 31/10 Z

F-Term (30)：

4M118AA01 ,  4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA34 ,  4M118CA40 ,  4M118DA28 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA18 ,  5C024GA11 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049QA18 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03 ,  5F049TA12 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF17 ,  5F058BJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-259256
  
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-307952   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭61-210175
  
• 特開平4-223371
  
• 特開平4-226073