プラズマCVD装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998253661
Publication number (International publication number)：2000091236
Application date： Sep. 08, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】粉発生無しの条件でa-Si成膜速度を従来の約2倍に向上できることを課題とする。【解決手段】反応容器31と、この反応容器21に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器21内から収容された放電用のはしご型電極132 すなわちラダーアンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、このはしご型電極132 に30MHzないし200MHzのグロー放電発生用電力を供給する高周波電源36とを有し、前記反応容器31内に設置された基板33表面に非晶質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成するプラズマCVD装置において、前記はしご型電極132 の断面形状を矩形にしたことを特徴とするプラズマCVD装置。

Claim (excerpt)：

反応容器と、この反応容器に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内から収容された放電用のはしご型電極すなわちラダーアンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、このはしご型電極に30MHzないし200MHzのグロー放電発生用電力を供給する電源とを有し、前記反応容器内に設置された基板表面に非晶質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成するプラズマCVD装置において、前記はしご型電極の断面形状を矩形にしたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 31/04

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 31/04 V

F-Term (24)：

5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045BB09 , 5F045CA13 , 5F045EF05 , 5F045EH02 , 5F045EH04 , 5F045EH06 , 5F045EH11 , 5F045EH19 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051BA11 , 5F051CA16 , 5F051CA23 , 5F051CA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

プラズマCVD方法及びプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-347797 Applicant：キヤノン株式会社

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