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J-GLOBAL ID：200903054270236381

プロセスの状態を識別する方法および装置

Inventor： ステファニー ダブリュ.バットラー ,  ケイス ジェイ.ブランカー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993087586
Publication number (International publication number)：1995258853
Application date： Apr. 14, 1993
Publication date： Oct. 09, 1995
Summary：

【要約】【目的】 プロセスの状態を識別する方法および装置を提供する。【構成】 実施例として、半導体ウェハ24を製造するためのプラズマ処理装置10が開示される。この装置は、プラズマ処理工具12と、プラズマ処理工具12に結合せしめられたRFエネルギー源20と、を含む。RFエネルギー源20と、プラズマ処理工具12との間には、任意選択的な整合回路網22が含まれうる。RFエネルギーを監視して測定特性を得るための回路18もまた備えられる。少なくとも1つのトランスジューサ14または16が、プラズマ処理工具12と、RFエネルギーを監視するための回路18と、の間に結合せしめられる。RFエネルギーは通常基本周波数で印加され、基本周波数と異なる第2周波数において電気的特性が監視される。さらに、測定特性を解釈することにより処理装置10の状態を決定するためのコンピュータなどの回路19も含まれている。他の装置および方法もまた開示される。

Claim (excerpt)：

電磁電力源および処理チャンバを含む処理装置を設置するステップと、電磁エネルギーを基本周波数で前記処理装置に印加するステップと、前記電磁エネルギーの少なくとも1つの電気的特性を監視することにより測定特性を得るステップであって、前記電力が前記基本周波数で印加され、前記電気的特性が前記基本周波数と異なる少なくとも1つの関連周波数において監視されるようになっている、前記電気的特性の監視ステップと、前記測定特性を解釈することにより前記処理装置の状態を決定するステップと、を含む、処理装置の状態の決定方法。

IPC (3)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ処理装置におけるプラズマ制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-012226   Applicant：株式会社神戸製鋼所