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J-GLOBAL ID:200903054280222575

有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000204006
Publication number (International publication number):2001085164
Application date: Jul. 05, 2000
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 リーク電流が少ない、有機エレクトロルミネッセンス素子と、該素子を利用したELパネルの製造方法を提供することが本発明の課題である。【解決手段】 基板上に、A)第一の電極を成膜する工程と、B)該第一の電極上に発光層を含む一層以上の有機化合物薄膜層を積層する工程と、C)該有機化合物薄膜層上に第二の電極を積層する工程と、を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、工程B及びCと、工程BとCとの間と、工程C終了後、基板温度が室温となるまでの間と、における該基板温度が70°C以下であり、かつ、温度変化速度の絶対値が1.5°C/sec以内である有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Claim (excerpt):
基板上に、A)第一の電極を成膜する工程と、B)該第一の電極上に発光層を含む一層以上の有機化合物薄膜層を積層する工程と、C)該有機化合物薄膜層上に第二の電極を積層する工程と、を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、工程B及びCと、工程BとCとの間と、工程C終了後、基板温度が室温となるまでの間と、における該基板温度が70°C以下であり、かつ、温度変化速度の絶対値が1.5°C/sec以内である有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (6):
H05B 33/10 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/22 ,  H05B 33/14
FI (6):
H05B 33/10 ,  C23C 14/06 Q ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/14 B ,  C23C 14/22 C ,  H05B 33/14 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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