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J-GLOBAL ID：200903054300489506

プラズマ処理装置

Inventor：
山田 紀和

About 山田 紀和


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999175229
Publication number (International publication number)：2001007086
Application date： Jun. 22, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 安定したプラズマを生成可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内には,ウェハWを載置する下部電極106と上部電極108が対向配置される。上部電極108には第1整合ユニット122と第1バンドカットフィルタ124を介して60MHzの高周波電力が印加され,下部電極106には第2整合ユニット132と第2バンドカットフィルタ134を介して13.56MHzの高周波電力が印加される。第1および第2整合ユニット122,132には,それぞれプラズマからの高調波成分を除去する高調波除去フィルタ130,128,138が介装される。第1および第2バンドカットフィルタ124,134は,それぞれ13.56MHz,60MHzの高周波電力に対して仮想接地回路となる。
Claim (excerpt)：
処理室内に対向配置される第1電極と第2電極と,前記第1電極に第1電力供給系を介して所定周波数の第1高周波電力を印加する第1高周波電源と,被処理体を載置する前記第2電極に第2電力供給系を介して前記所定周波数よりも相対的に低い周波数の第2高周波電力を印加する第2高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において:前記第1電力供給系は,前記第1高周波電力の高次高調波を除去するフィルタと,前記第1高周波電力の低次高調波を除去するフィルタと,第1整合器と,前記第2高周波電力を除去するフィルタとを備え;前記第1高周波電力の高次高調波を除去するフィルタは,前記第1高周波電源に最も近い位置に設けられ;前記第2高周波電力を除去するフィルタは,前記第1電極に最も近い位置に設けられることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 R
F-Term (27)：
4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DD08 ,  4K057DE01 ,  4K057DE11 ,  4K057DM05 ,  4K057DM33 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DB02 ,  5F004EA22 ,  5F045AA08 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-313006   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
Cited by examiner (1)
  • 半導体製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-313006   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社

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