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J-GLOBAL ID：200903054307389531

カルコパイライト薄膜、その製造方法および製造装置

Inventor： 西谷 幹彦 ,  根上 卓之 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994005606
Publication number (International publication number)：1995211930
Application date： Jan. 24, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 品質のすぐれたABC2型カルコパイライト薄膜およびそれを安定して製造する方法と装置を提供する。【構成】 B元素過剰なABC2層が最表面に存在するABC2型カルコパイライト薄膜。A元素過剰なカルコパイライト薄膜をB元素とC元素を含むフラックスまたはガスに暴露することにより製造する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたABC2型カルコパイライト(A=CuまたはAg、B=InまたはGa、C=S、SeまたはTe)薄膜からなり、その最表面がB元素過剰なABC2型の層で構成されたことを特徴とするカルコパイライト薄膜。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  C30B 29/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体薄膜層の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036781   Applicant：株式会社富士電機総合研究所
• 特開平4-369871