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J-GLOBAL ID:200903054352730554
磁気抵抗効果素子及び磁気情報再生方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
外川 英明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996060612
Publication number (International publication number):1997251621
Application date: Mar. 18, 1996
Publication date: Sep. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 磁気抵抗効果を用いた記録を非破壊で読み出せ、かつ再生出力の大きい手法を提供する。【解決手段】 反強磁性結合を有する磁気積層膜と強磁性導電膜とをトンネル絶縁膜を介して積層した構成を採る。この積層膜に一方向の磁界を加えた時のトンネル電流を測定することで“0”,“1”を読み出すことができる。
Claim (excerpt):
第1の強磁性導電層と、第2の強磁性導電層と、第1及び第2の強磁性層間に介在する第1の非磁性導電層とを有し、第1及び第2の強磁性層が反強磁性的に交換結合している磁気積層膜と;強磁性導電膜と;この強磁性導電膜と磁気積層膜との間に介在するトンネル絶縁膜とを具備したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5):
G11B 5/39
, G11B 5/02
, G11B 5/09 301
, H01F 10/08
, H01L 43/08
FI (5):
G11B 5/39
, G11B 5/02 U
, G11B 5/09 301 C
, H01F 10/08
, H01L 43/08 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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磁気抵抗素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-186807
Applicant:三菱マテリアル株式会社
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磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-206311
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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