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J-GLOBAL ID：200903054355509905

窒化物半導体装置

Inventor：
中川 敦

About 中川 敦

, 
出口 忠義

About 出口 忠義


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005052406
Publication number (International publication number)：2006237430
Application date： Feb. 28, 2005
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：
【課題】 耐圧が高く、且つオン電圧の低い、新たなIII-V族窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性または絶縁性基板上に積層したIII-V族窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層よりも低い温度で成膜した第2の窒化物半導体層と、凹部内に露出する第1の窒化物半導体層上にショットキー接合するショットキーバリア高さの低い第1のアノード電極と、第1のアノード電極に接続し、第2の窒化物半導体層にショットキー接合する第1のアノード電極と同一あるいは異なる金属からなり、ショットキーバリア高さの高い第2のアノード電極と、第1あるいは第2の窒化物半導体層にオーミック接合するカソード電極とを備える。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、 基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層よりも低い温度で成膜した前記III-V族窒化物半導体層からなる第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の一部を凹状に欠き、該凹部内に露出する前記第1の窒化物半導体層上にショットキー接合する第1のアノード電極と、該第1のアノード電極に接続し、前記第2の窒化物半導体層にショットキー接合する前記第1のアノード電極と同一あるいは異なる金属からなる第2のアノード電極と、前記第1あるいは前記第2の窒化物半導体層にオーミック接合するカソード電極とを備え、 前記第2のアノード電極と前記第2の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さが、前記第1のアノード電極と前記第1の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さより高いことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (2)：
H01L29/48 D ,  H01L29/48 F
F-Term (22)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD79 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF26 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH17 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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