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J-GLOBAL ID：200903034057514270

窒化物半導体装置及びその製造方法

Inventor：
中川 敦

About 中川 敦


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004125323
Publication number (International publication number)：2005183906
Application date： Apr. 21, 2004
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】 窒化物半導体層に形成される制御電極のショットキ特性におけるリーク電流を大幅に低減し、窒化物半導体層内での衝突イオン化を抑制することにより高耐圧化を実現し、また周波数分散を抑制することができる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に積層した窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に積層した窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備えた窒化物半導体装置であり、第2の窒化物半導体層は、その成長温度を低く設定することにより、絶縁特性の優れた微結晶構造とする。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなることを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (6)：
H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (4)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J
F-Term (32)：
4M104AA04 ,  4M104AA08 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104GG12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA03 ,  5F045DA52 ,  5F045DA66 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (6)
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