炭化けい素縦型MOSFETおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997036080
Publication number (International publication number)：1998233503
Application date： Feb. 20, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】SiCを用いた縦型MOSFETの高耐圧化を図る。【解決手段】幅の広いマスク36aを使用した燐イオン34aの選択的なイオン注入の後、より幅の狭いマスク36bを使用したほう素イオン33aの選択的なイオン注入をおこない、マスク36bを除去し熱処理してpベース領域33およびnソース領域34を形成する。その後熱酸化によりゲート酸化膜35を形成し、多結晶シリコンのゲート電極層36を形成する。チャネル領域40の長さと、pベース領域33の厚さとをそれぞれ独立に設計でき、例えばチャネル領域でのパンチスルーが避けられる高耐圧に適する構造とすることができる。特に、スペーサを利用する方法により、チャネル領域の長さが精度よく形成され、安定した特性が歩留まりよく得られる。

Claim (excerpt)：

第一導電型炭化けい素サブストレート上に積層された炭化けい素からなる第一導電型ドリフト層と、その第一導電型ドリフト層の表面層に選択的に形成された第二導電型ベース領域と、その第二導電型ベース領域内に選択的に形成された第一導電型ソース領域と、第一導電型ソース領域と第一導電型ドリフト層とに挟まれた第二導電型ベース領域の表面露出部上の少なくとも一部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、第一導電型ソース領域と第二導電型ベース領域との表面に共通に接触するソース電極と、炭化けい素サブストレートの裏面に設けられたドレイン電極とを有する縦形MOSFETにおいて、第一導電型ソース領域が、第二導電型不純物の選択的なイオン注入に使用したマスクより、幅の広いマスクを使用した第一導電型不純物のイオン注入によって形成された濃度分布を有することを特徴とする炭化けい素縦型MOSFET。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 J , H01L 29/78 658 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

炭化けい素MOSFETの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-301439 Applicant：富士電機株式会社
特開平3-141649

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