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J-GLOBAL ID：200903054441455427

炭素原子による成膜及びエッチング処理方法及びその装置

Inventor： 後藤 俊夫 ,  堀 勝
Applicant, Patent owner： 後藤 俊夫 ,  日本レーザ電子株式会社
Agent (1)： 伊藤 研一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257617
Publication number (International publication number)：1998102251
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Apr. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】反応性プラズマ中或いはレーザアブレーション中等の炭素ラジカルを高い再現性をもって直接、かつ高精度に測定して処理プロセスを制御することができる炭素原子による成膜及びエッチング処理方法及びその装置の提供。【解決手段】少なくとも炭素原子を含有した原料ガスをプラズマ化する。プラズマ化した原料ガスの炭素原子を被処理体上に堆積させて成膜したり、炭素原子を被処理体に衝突させてエッチングする際に、発光線発生手段から出射される炭素原子発光線をプラズマに照射し、炭素原子発光線の出射量とプラズマの透過量に基づいてプラズマ中の炭素原子密度を計測する。測定された炭素原子密度に基づいてプラズマ処理する。

Claim (excerpt)：

少なくとも炭素原子を含有した原料ガスをプラズマ化し、被処理体上に炭素含有薄膜を成膜したり、被処理体をエッチング処理するプラズマ処理方法において、プラズマ化した原料ガスに対して発光線発生手段から出射される炭素原子発光線を照射し、炭素原子発光線の出射量とプラズマの透過量とに基づいてプラズマ中の炭素原子密度を計測し、該炭素原子密度に基づいてプラズマ処理する炭素原子による成膜及びエッチング処理方法。

IPC (11)：

C23C 14/54 ,  C03C 15/00 ,  C03C 17/245 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 ,  H01J 37/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302

FI (12)：

C23C 14/54 B ,  C03C 15/00 A ,  C03C 17/245 A ,  C23C 14/06 F ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 A ,  H01J 37/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 Z