放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998307033
Publication number (International publication number)：2000131444
Application date： Oct. 28, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 CsIの結晶性を向上させる。【解決手段】一対の光電変換素子12とスイッチ素子13とが複数配置されたセンサー基板上に、入射した放射線を光電変換素子12が検知可能な光に変換するシンチレーター層16を設けてなる放射線検出装置において、シンチレーター層16と接する面が平坦面である平坦化層15を、センサー基板とシンチレーター層16との間に設けた。

Claim (excerpt)：

一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置されたセンサー基板上に、入射した放射線を該光電変換素子が検知可能な光に変換するシンチレーター層を設けてなる放射線検出装置において、前記シンチレーター層と接する面が平坦面である平坦化層を、前記センサー基板と前記シンチレーター層との間に設けたことを特徴とする放射線検出装置。

IPC (3)：

G01T 1/20 , G01T 1/202 , H01L 27/14

FI (5)：

G01T 1/20 G , G01T 1/20 D , G01T 1/20 E , G01T 1/202 , H01L 27/14 K

F-Term (24)：

2G088EE01 , 2G088EE27 , 2G088FF02 , 2G088FF14 , 2G088GG10 , 2G088GG16 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ37 , 2G088KK32 , 2G088MM10 , 4M118AA01 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CA34 , 4M118CB06 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB20 , 4M118FB24 , 4M118GA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜イメージセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-004140 Applicant：株式会社日立製作所
特開平1-191087
特表平5-502764

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