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J-GLOBAL ID：200903054465071956

半導体装置の製造方法

Inventor： 中島 隆 ,  三浦 英生 ,  矢島 明 ,  小林 秀 ,  西原 晋治 ,  内田 淳一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998140800
Publication number (International publication number)：1999340144
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】成膜室内に治具が設置される成膜装置おいて、成膜中における異物の発生が少ない半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】成膜装置成膜室内に設置する防着治具の表面に、防着治具母材と同一材料の溶射が形成され、その上にアルミニウム溶射膜を形成し、防着治具へ付着する成膜生成物の密着力と溶射膜の防着治具への密着力を向上させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に薄膜を形成する半導体装置の製造方法において、成膜装置の成膜室に設置する防着治具の表面が複数層から成る溶射膜によってコーティングされており、該複数層から成る溶射膜の表面に最大高さ30〜500ミクロンの凹凸が形成され、且つ溶射膜内の層間の界面が最大高さ30〜500ミクロンの凹凸形状を有しており、該防着治具を設置した状態で半導体基板上に成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 4/00 ,  C23C 4/04 ,  H01L 21/203

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 4/00 ,  C23C 4/04 ,  H01L 21/203 S