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J-GLOBAL ID：200903054472459242

絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物

Inventor： 御子柴 智 ,  早瀬 修二 ,  中野 義彦 ,  川田 利佳子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996233199
Publication number (International publication number)：1998079381
Application date： Sep. 03, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 アルカリ現像が可能で、高精度かつ低誘電率の絶縁膜パターンを容易に形成し得る方法を提供しようとするものである。【解決手段】 所定の単量体を有する第1珪素ポリマーと所定の単量体を有する第2珪素ポリマーとを含む感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、アルカリ現像する工程と、現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

下記化1に示す一般式(I)の単量体を有する第1珪素ポリマーと下記化2に示す一般式(II)の単量体を有する第2珪素ポリマーとを含む感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、現像する工程と、現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程とを具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方法。【化1】ただし、式中のR1 〜R3 は水素、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を示す。【化2】ただし、式中のR4 、R5 は水素、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を示す。

IPC (5)：

H01L 21/312 ,  C08L 83/16 LRZ ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027 ,  C08G 77/62 NUM

FI (5)：

H01L 21/312 C ,  C08L 83/16 LRZ ,  G03F 7/075 511 ,  C08G 77/62 NUM ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-252018   Applicant：触媒化成工業株式会社
• ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂からの光画描可能な皮膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-099041   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション