磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工藤実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007152054
Publication number (International publication number)：2008306002
Application date： Jun. 07, 2007
Publication date： Dec. 18, 2008
Summary：

【課題】磁気抵抗素子の磁化自由層の磁歪定数の大きさを、高MRを保ったまま安定的に小さくする。【解決手段】磁歪定数が正の強磁性層と磁歪定数が負の強磁性層とを非磁性層を介して適切な大きさで強磁性結合させることにより、それらの磁歪定数がキャンセルして全体の磁歪定数がゼロとなるように磁化自由層を形成する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

固定された磁化を有する磁化固定層と、反転可能な磁化を有する磁化自由層と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配置された非磁性層とを具備し、前記磁化自由層は、前記非磁性層に隣接し、磁歪定数が正である第一強磁性層と、磁歪定数が負であり前記第一強磁性層と平行に結合された第二強磁性層と、前記第一強磁性層と前記第二強磁性層との間に配置された平行結合非磁性層とを備え、前記磁化自由層の全体としての実効的な磁歪定数の絶対値は1ppm以下である磁気抵抗素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447

F-Term (36)：

4M119AA17 , 4M119CC04 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD13 , 4M119DD25 , 5F092AA20 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD24 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BC43 , 5F092BE04 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092BE27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許6545906号明細書
磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-315136 Applicant：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ

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