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J-GLOBAL ID:200903054511308532

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 下田 容一郎 ,  田宮 寛祉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006217246
Publication number (International publication number):2008042086
Application date: Aug. 09, 2006
Publication date: Feb. 21, 2008
Summary:
【課題】半導体モジュール構造で主回路のインダクタンスを低減し、駆動信号の耐ノイズ性を向上し、モジュール構造の小型化とコンパクト化を図れる半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は第1および第2の組立体12A,12Bを含む。第1の組立体は、第1の半導体チップ、第1の半導体チップの一面に接合される高圧バスバー21、第1の半導体チップの他面にボンディングワイヤで接続される第1金属配線板24-1、第1金属配線板に連結される第3金属配線板24-3を備える。第2の組立体は、第2の半導体チップ、第2の半導体チップの一面にボンディングワイヤで接続される低圧バスバー23、第2の半導体チップの他面に接合される第2金属配線板24-2、第2金属配線板の端部から折り返して連結され、第2金属配線板に平行に配置する第4金属配線板24-4を備える。第1の組立体と第2の組立体は離間した積層構造で配置される。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1の半導体チップと、この第1の半導体チップの一面に接合されると共に高圧端子を有する高圧バスバーと、前記第1の半導体チップの他面にボンディングワイヤで接続される第1金属配線板と、前記第1金属配線板に連結され、前記第1の半導体チップの他面に接続される前記ボンディングワイヤに対して所定間隔離間すると共に前記高圧バスバーに平行に配置する第3金属配線板とを備えた第1の組立体と、 第2の半導体チップと、この第2の半導体チップの一面にボンディングワイヤで接続されると共に低圧端子を有する低圧バスバーと、前記第2の半導体チップの他面に接合される第2金属配線板と、前記第2金属配線板の端部から折り返して連結され、前記第2の半導体チップに接続される前記ボンディングワイヤに対して所定間隔離間すると共に前記第2金属配線板に平行に配置する第4金属配線板とを備えた第2の組立体と、 前記第3金属配線板と前記第4金属配線板のそれぞれの端部から延在する出力端子を有する出力バスバーとから成り、 前記第1の組立体と前記第2の組立体は離間した積層構造で配置され、前記出力バスバーは前記積層構造の中間に配置されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1):
H01L25/04 C
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-210475   Applicant:株式会社東芝
  • 積層型半導体装置およびその組み立て方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-301565   Applicant:日産自動車株式会社
  • 電力用半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-102699   Applicant:富士電機ホールディングス株式会社
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