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J-GLOBAL ID:200903092949569133
パワー半導体モジュール
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997167329
Publication number (International publication number):1999017087
Application date: Jun. 24, 1997
Publication date: Jan. 22, 1999
Summary:
【要約】【課題】 パワー半導体モジュールに強く要求される電気的接続の長期信頼性を得る。【解決手段】 ケース7内にパワー半導体チップ4を有するパワー半導体モジュールにおいて、モジュールを構成する配線9の電気的接続に導電性樹脂10を用いた。さらに、上記導電性樹脂は、銀、金、銅、ニッケル、および炭素の内の少なくとも何れか1つを含有し、体積抵抗率が1Ω・cm以下であり、かつ、弾性率が1000kgf/mm2以下であるものである。さらに、外部電極へとつながるパワー半導体モジュール内部の主回路配線電極9をパワー半導体チップの活性面上に配置し、上記電極と活性面とを導電性樹脂により接続した。また、パワー半導体チップの活性面と金属体とを導電性樹脂で接続し、上記金属体と主回路配線電極とを接続した。さらに、導電性樹脂による電気的接続部を加圧する部材を備えた。
Claim (excerpt):
ケース内にパワー半導体チップを有するパワー半導体モジュールにおいて、モジュールを構成する配線の電気的接続に導電性樹脂を用いたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平2-249249
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-055305
Applicant:シチズン時計株式会社
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電子回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-052997
Applicant:株式会社日立製作所
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