不揮発性メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田辺恵基
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993341697
Publication number (International publication number)：1995161854
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は不揮発性メモリに関し、従来に比して一段と低消費電力を実現する。【構成】メモリセルを構成する薄膜トランジスタのバツクチヤネルに強誘電体キヤパシタを埋め込み、当該強誘電体キヤパシタの分極特性を微少電流によつて反転させる。これによりデータの書き込み時や消去時に流れる電流を少なくすることができ、一段と消費電流の小さいメモリセルを実現することができる。また強誘電体コンデンサは低電界において容易に分極を反転できるため、従来に比して一段と低電圧でも確実な動作を実現することができる。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタのバツクチヤネルに強誘電体コンデンサが配置され、当該強誘電体コンデンサの分極極性に対応して上記薄膜トランジスタがオン又はオフ制御されるメモリセルを具えることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (6)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 11/22 , G11C 17/08 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 301 A , H01L 29/78 311 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

メモリ-素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-183605 Applicant：カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-301216 Applicant：カシオ計算機株式会社
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-321046 Applicant：ローム株式会社

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