半導体等の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大西孝治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993196793
Publication number (International publication number)：1995024307
Application date： Jul. 13, 1993
Publication date： Jan. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】宇宙空間で製造されるものと同様な優れた特性を有する半導体等を大量に製造できるようにする。【構成】マルチ電極2に三相交流を印加することにより電極間にマルチアーク4を発生させ、マルチアーク4によりマルチ電極2の略中心点に置かれた原料物質3を溶解せしめる。その後、溶解状態の原料物質3を予め定められた冷却速度に従って冷却させることにより目的物質たる半導体、合金、セラミック又はアモルファス等を製造する。

Claim (excerpt)：

複数の電極が点対象に配置されており、当該電極に多相交流を印加することにより前記電極間にマルチアークを発生させ、マルチアークにより前記複数の電極の中心点に置かれた原料物質を溶解せしめ、その後、溶解状態の原料物質を予め定められた冷却速度に従って冷却させることにより目的物質たる半導体、合金、セラミック又はアモルファス等を製造したことを特徴とする半導体等の製造方法。

IPC (4)：

B01J 19/08 , C22B 9/20 , C22C 1/02 501 , C30B 15/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-124235
窒化物系サーメツトの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-228821 Applicant：佐藤亮拿
特開昭64-002293

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