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J-GLOBAL ID:200903054519275013

パターン形成方法およびそれを用いた構造体の加工方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004298926
Publication number (International publication number):2006110434
Application date: Oct. 13, 2004
Publication date: Apr. 27, 2006
Summary:
【課題】 パターンのばらつきの小さい、ブロックコポリマーの自己組織的な相分離構造を利用したパターン形成方法の提供。【解決手段】 メソゲン基を有するブロックを少なくともひとつ含んでなるブロックコポリマーの溶液を、予め溝構造が形成された基板上に塗布し、前記溝内において前記ブロックコポリマーを自己組織化させ、それによって形成されたブロックコポリマー集合体を規則的に配列させる、ブロックコポリマーの相分離構造を用いたパターン形成方法と、その方法により得られたパターンをテンプレートとして基板を加工する加工方法。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
ブロックコポリマーの相分離構造を用いたパターン形成方法であって、メソゲン基を有するブロックを少なくともひとつ含んでなるブロックコポリマーの溶液を、予め溝構造が形成された基板上に塗布し、前記溝内において前記ブロックコポリマーを自己組織化させ、それによって形成されたブロックコポリマー集合体を規則的に配列させることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2):
B05D 7/24 ,  G11B 5/855
FI (2):
B05D7/24 302Z ,  G11B5/855
F-Term (9):
4D075BB57Z ,  4D075DA32 ,  4D075DC27 ,  4D075EB31 ,  4D075EB52 ,  4D075EB56 ,  5D112AA16 ,  5D112CC01 ,  5D112EE06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

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