電界効果トランジスタおよび高周波電力増幅器

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997056442
Publication number (International publication number)：1998256271
Application date： Mar. 11, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】電力変換効率が高く、かつドレイン効率および歩留まりを可及的に高くすることを可能にする。【解決手段】半導体基板1の表面領域に形成された第1導電型の動作層3と、この動作層上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極の両側の半導体基板に形成された、動作層よりも不純物濃度の高い第1導電型のソース領域8bおよびドレイン領域8bと、ゲート電極下のチャネル領域とソース領域の間およびチャネル領域とドレイン領域の間の半導体基板に形成され、ソース領域およびドレイン領域とほぼ同じ深さでかつ不純物濃度がチャネル領域よりも高くソース領域およびドレイン領域よりも低い第1導電型の第1および第2の不純物領域6a,6bと、を備えていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面領域に形成された第1導電型の動作層と、この動作層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に形成された、前記動作層よりも不純物濃度の高い第1導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ゲート電極下のチャネル領域と前記ソース領域の間および前記チャネル領域と前記ドレイン領域の間の半導体基板に形成され、前記ソース領域およびドレイン領域とほぼ同じ深さでかつ不純物濃度がチャネル領域よりも高く前記ソース領域およびドレイン領域よりも低い第1導電型の第1および第2の不純物領域と、を備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平2-007443
特開昭63-126232
特開昭63-126232

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