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J-GLOBAL ID：200903072152666230

半導体増幅器

Inventor：
藤原 郁夫

About 藤原 郁夫

, 
長岡 正見

About 長岡 正見

, 
石田 賢二

About 石田 賢二


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996056037
Publication number (International publication number)：1996321519
Application date： Mar. 13, 1996
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【課題】 ゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動させることができ、かつ十分な出力電力を確保しつつ、より高い効率が得られる半導体増幅器を提供する。【解決手段】 増幅素子として動作するソース接地型MESFETを用い、低電圧で動作する高周波用の半導体増幅器において、MESFETをゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動し、かつMESFETのしきい値電圧を-0.5Vから0Vの範囲に設定した。
Claim (excerpt)：
増幅素子として動作するソース接地型MESFETと、このMESFETをゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動する手段とを具備し、前記MESFETのしきい値電圧を-0.5Vから0Vの範囲に設定してなることを特徴とする半導体増幅器。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H03F 3/193
FI (2)：
H01L 29/80 B ,  H03F 3/193
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 増幅回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-138542   Applicant：シャープ株式会社
  • ショットキ形電界効果トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-177768   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開平2-082716
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Cited by examiner (7)
  • 増幅回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-138542   Applicant：シャープ株式会社
  • 特開平4-373134
  • ショットキ形電界効果トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-177768   Applicant：松下電器産業株式会社
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