半導体増幅器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996056037
Publication number (International publication number)：1996321519
Application date： Mar. 13, 1996
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】ゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動させることができ、かつ十分な出力電力を確保しつつ、より高い効率が得られる半導体増幅器を提供する。【解決手段】増幅素子として動作するソース接地型MESFETを用い、低電圧で動作する高周波用の半導体増幅器において、MESFETをゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動し、かつMESFETのしきい値電圧を-0.5Vから0Vの範囲に設定した。

Claim (excerpt)：

増幅素子として動作するソース接地型MESFETと、このMESFETをゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動する手段とを具備し、前記MESFETのしきい値電圧を-0.5Vから0Vの範囲に設定してなることを特徴とする半導体増幅器。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H03F 3/193

FI (2)：

H01L 29/80 B , H03F 3/193

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

増幅回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-138542 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-373134
ショットキ形電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-177768 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page