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J-GLOBAL ID：200903054599663280

半導体モジュ-ル

Inventor： 小森田 裕 ,  池田 和男 ,  那波 隆之 ,  小松 通泰 ,  佐藤 孔俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999116898
Publication number (International publication number)：1999330311
Application date： Aug. 25, 1997
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】裏金属板とヒートシンク板との両方は必要とせず構造が簡素で小型化でき、かつ放熱性,構造強度および耐熱サイクル性を改善した半導体モジュールを提供する。【解決手段】熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板10と、この高熱伝導性窒化けい素基板10に搭載された半導体素子7と、この高熱伝導性窒化けい素基板10の半導体素子搭載面側に接合された金属回路板3と、上記高熱伝導性窒化けい素基板10の半導体素子非搭載面側に接合され、かつ機器ケーシング9あるいは実装ボードに一体に接合される単数の金属板4aとを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に搭載された半導体素子と、この高熱伝導性窒化けい素基板の半導体素子搭載面側に接合された金属回路板と、上記高熱伝導性窒化けい素基板の半導体素子非搭載面側に接合され、かつ機器ケーシングあるいは実装ボードに一体に接合される金属板とを具備することを特徴とする半導体モジュール。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-319369   Applicant：電気化学工業株式会社