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J-GLOBAL ID：200903054632142186

太陽電池セルおよびその製造方法

Inventor： 日置 正臣
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001013618
Publication number (International publication number)：2002217435
Application date： Jan. 22, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板の反りを解消するとともに、特性の低下を解消し、さらに低コスト化を図る。【解決手段】 シリコン基板1と、そのシリコン基板の裏面全体に形成されたアルミニウムからなる裏面電極55と、半導体基板の裏面電極接合面に形成されたBSF層4を備え、裏面電極を2種以上の厚み55a,55bで形成した構造とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、その半導体基板の裏面全体に形成されたアルミニウムからなる裏面電極と、半導体基板の裏面電極接合面に形成されたBSF層を備え、裏面電極が2種以上の厚みで形成されていることを特徴とする太陽電池セル。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/41

FI (3)：

H01L 21/283 A ,  H01L 31/04 H ,  H01L 29/44 B

F-Term (23)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE20 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104GG05 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F051AA02 ,  5F051CB13 ,  5F051CB27 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051FA19 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-330381   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (1)

• 太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-330381   Applicant：シャープ株式会社