太陽電池の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993330381
Publication number (International publication number)：1995193263
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】シリコン基板の光閉込め構造の形成と低温でのBSF層の形成を1つの工程で行なう。【構成】受光面側にPN接合が形成されたシリコン基板6の裏面へ、絶縁膜を形成し、この絶縁膜に複数の開口部を形成し、この開口部を含む裏面全面にAlペーストを印刷し焼成することにより、シリコン基板6の裏面に微細な凹凸構造と凹凸壁面に沿ったBSF層11を同時に低温で形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板にPN接合を形成する工程と、前記基板裏面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を含む絶縁膜上に、半導体基板中に拡散したとき半導体基板と同じ導電型の高濃度層を形成する性質を有する金属を含む導電性ペーストを印刷する工程と、前記ペーストを熱処理し開口部周辺に拡散した金属により半導体基板と同じ導電型の微細な凹凸壁面を有する高濃度層を形成する工程と、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。

FI (2)：

H01L 31/04 H , H01L 31/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

シリコン太陽電池素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-035052 Applicant：シャープ株式会社
光電変換装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-268027 Applicant：シヤープ株式会社
特開平4-044277

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Cited by examiner (2)

シリコン太陽電池素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-035052 Applicant：シャープ株式会社
光電変換装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-268027 Applicant：シヤープ株式会社

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