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J-GLOBAL ID：200903054644749221

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリおよびその記録再生方法

Inventor：
西村 直樹

About 西村 直樹


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295708
Publication number (International publication number)：2002190579
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】 書き込み線の本数を減らして簡素化したデバイス構造を実現し、同時に集積度を向上することを目的とする。【解決手段】 磁気抵抗素子とビット線と、書き込み線と電界効果トランジスタからなるセルがマトリックス状に基板上に形成されており、隣接のメモリ素子に接続されているビット線を用いて記録再生を行なうことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に磁化容易軸が膜面垂直方向である第1磁性層と第2磁性層が積層され該磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗膜を有するメモリ素子と、該磁気抵抗素子の前記基板に対向する側に設けられたビット線と、前記第1磁性層または前記第2磁性層の磁化方向を電流によって発生する磁界により変化させる書き込み線とを有するメモリにおいて、前記メモリ素子が前記基板上にマトリックス状に形成され、隣接するメモリ素子に接続されている前記ビット線と前記書き込み線からの磁界によって前記磁気抵抗素子の磁化状態を変化させることを特徴とするメモリ。
IPC (6)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08
FI (6)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (14)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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