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J-GLOBAL ID：200903054670543135

複合負性抵抗素子

Inventor： 松村 啓 ,  松居 恵理子
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (3)： 逢坂 宏 ,  森 幸一 ,  松村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007334411
Publication number (International publication number)：2009158698
Application date： Dec. 26, 2007
Publication date： Jul. 16, 2009
Summary：

【課題】 複数の負性抵抗素子からなり、単独の負性抵抗素子では得られない電流-電圧特性を発現する複合負性抵抗素子を提供すること。【解決手段】 負性抵抗素子1の入力端子3を入力端子とし、負性抵抗素子2の出力端子6を出力端子として、直列接続した負性抵抗素子1と負性抵抗素子2の全体を1つの機能素子として用いる。この場合、負性抵抗素子1および2が負性抵抗特性を示すバイアス電圧領域およびその前後のバイアス電圧領域における電流-電圧特性の違いによって、複合負性抵抗素子10が負性抵抗特性を示す2つの電圧領域を有する場合と、負性抵抗特性を示す1つの電圧領域とヒステリシス特性を示す1つの電圧領域とを有する場合と、ヒステリシス特性を示す2つの電圧領域を有する場合とがある。ゲート電圧で負性抵抗特性を変更できる素子で構成すれば、1つの複合負性抵抗素子をゲート電圧の違いによって2通りに使いわけることもできる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

負性抵抗素子の出力端子が別の負性抵抗素子の入力端子に接続されることによって、複数の負性抵抗素子が接続されて形成された複合負性抵抗素子であって、 前記した複数の負性抵抗素子の各入出力端子のうち、負性抵抗素子間の接続点とされ た端子以外の入力端子および出力端子が、それぞれ、前記複合負性抵抗素子の入力端子 および出力端子として用いられ、 複数のバイアス電圧領域において負性抵抗特性又はヒステリシス特性を示す電流-電 圧特性を有する、 複合負性抵抗素子。

IPC (4)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (5)：

H01L29/66 Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 250E

F-Term (12)：

5F110AA30 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-237285   Applicant：日本電気株式会社